Super Trench MOSFET Gen.2
新潔能提供擊穿電壓等級范圍為30V至120V的N溝道Super Trench Gen.2系列功率MOSFET 產(chǎn)品,其超低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))與超低柵極電荷(Qg)的特點,結(jié)合先進輕巧緊湊的封裝進一步提高了系統(tǒng)的功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率。
同時,面向性能與魯棒性要求極為苛刻的低頻應(yīng)用,新潔能N溝道Super Trench Gen.2系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化了大電流關(guān)斷能力與靜電防護能力,可滿足包括直流電機驅(qū)動、鋰電池保護、AC/DC同步整流等廣泛應(yīng)用。此外,相比于新潔能上一代Super Trench Gen.1系列產(chǎn)品,Super Trench Gen.2系列產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻Ron,sp 降低20%,F(xiàn)OM值進降低20%,為設(shè)計人員進一步提高系統(tǒng)效率提供了更優(yōu)的選擇。
注:“Super Trench MOSFET”又稱“SGT MOSFET”。
(V: Available ■: Developing)
對于 85V & 100V 電壓段產(chǎn)品而言,Gen.2 Rsp 比 Gen.1 低20%!
100V SGT 代表產(chǎn)品與競爭者參數(shù)對比
85V SGT 代表產(chǎn)品與競爭者參數(shù)對比
SGT 2相對SGT 1短路能力加強!
Super Trench Gen.2命名規(guī)則